Título: Desenvolvimento de memórias resistivas baseadas em óxido de grafeno dopado com metais de transição para simulação neural

Palestrante: Marina Sparvoli de Medeiros (CMCC-UFABC)

Data e local: Quarta-feira, 13 de junho de 2018, às 16h, Santo André, Bloco A, sala S-105-0.

Resumo:

 Memórias resistivas (ReRAMs) podem ser aproximadamente cem vezes mais rápidas que a tecnologia Flash. Estes dispositivos ainda podem ser mais econômicos em relação ao consumo de energia. O elemento chave que torna as memórias resistivas atrativas é um componente chamado memristor. Este componente é baseado no fenômeno de comutação resistiva para sua operação, o qual é reversível. Devido ao problema de escalabilidade, cientistas têm buscado novos materiais que podem ser utilizados em componentes eletrônicos como processadores e chips de memória. Neste trabalho, foram fabricados dispositivos utilizando óxido de grafeno dopado com 1 % de metais de transição (prata, cobre ou ferro). ITON e alumínio foram utilizados como contato. As camadas de filme fino foram obtidas por dip coating. Na análise de efeito Hall, as amostras exibiram baixa mobilidade. O fenômeno de comutação resistiva em dispositivos de óxido de grafeno dopadofoi investigado por medidas macroscópicas IxV. Os dispositivos foram testados individualmente; suas características elétricas e seu comportamento foram verificados com a variação de tensão com o intuito de estabelecer os limites de operação para SET e RESET. A partir dos resultados experimentais, uma simulação de redes neurais foi feita. O modelo escolhido foi o chamado perceptron. É uma forma simples que imita o neurônio.